北京世纪同人广告有限公司-RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案

RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案

RFaxis开始为智能手机和平板电脑用双模Wi-Fi/蓝牙、WLAN 11a/n/ac、无线音频、ZigBee和智能能源/家庭自动化等市场批量生产七种新的CMOS射频前端集成电路

专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频(RF)解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis今天宣布，该公司将于2012年第四季度开始其第二代纯CMOS射频前端集成电路(RFeIC)的批量生产。新解决方案将服务于智能手机和平板电脑、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、无线音频、智能能源和家庭自动化等快速发展的市场。

RFX2401C和RFX2402C是全球首款面向ZigBee/ISM和802.11b/g/n应用的纯CMOS单芯片/单硅片RFeIC。在2011年底成功推出这两款集成电路后，RFaxis很快将开始大批量生产并交付其他七种RFeIC。这将使RFaxis的供货范围拓展到更广的无线/射频领域。

RFX5000和RFX5000B工作于5GHz 802.11a/n/ac频段，在输出功率为+18dBm时，64QAM/OFDM的误差矢量幅度(EVM)为3%，包括天线开关和输入/输出阻抗匹配网络的所有损耗。连同高增益(33dB)、高效率（低电流模式下，+17dBm时的电流为170mA）、极低的本底EVM(<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单CMOS逻辑的多模式控制，RFX5000和RFX5000B的性能优于当今市面上采用包括砷化镓(GaAs)或锗硅(SiGe)在内的任何现有技术的所有5GHz前端解决方案。此外，RFX5000和RFX5000B解决方案与市面上现有的5GHz技术引脚兼容。

RFX8420和RFX8421针对如今已经成为主流智能手机标准功能的双模Wi-Fi/Bluetooth应用进行了设计和优化。RFX8420和RFX8421采用超紧凑的2.5x2.5x0.45mm QFN封装，并与市面上多种基于GaAs的前端模块(FEM)引脚兼容，还可提供较先进的射频性能，包括极佳的EVM功率和效率。另外，这些RFeIC的SP3T开关的总插入损耗为0.8dB，且所有的隔直流电容均在芯片上集成。

RFaxis继续拓展其针对ZigBee、智能能源/智能家庭、无线传感器网络和通用型ISM频段应用的2.4GHz和Sub-GHz RFeIC产品群。RFX1010是一种超带宽的半瓦RFeIC，工作频率为780至960MHz。新款RFX2411和RFX2410为该公司大受欢迎的RFX2401C增加了双天线功能，不会影响到输出功率/效率，也不会增加封装尺寸。

RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat表示：“RFaxis已经打破了所有的技术障碍，这些障碍一度使得纯CMOS无法超越GaAs和SiGe等现有技术的性能。我们不仅将开始大批量生产这七种新的RFeIC—从sub-GHz ZigBee到5GHz 11n/ac MIMO—还将在不久提供RFX8825 RFeIC的试样以支持智能手机和平板电脑的Wi-Fi设计向双频/双模的过渡、以及我们的RFX240大功率线性功率放大器以进军Wi-Fi AP/路由器和户外热点市场。通过提供同类较佳的性能、较低的成本、较高的集成度和与我们竞争同行产品引脚兼容的解决方案，RFaxis将‘超越GaAs’，让纯CMOS技术成为射频前端市场的主流。我们的目标是成为全球首选的射频前端解决方案提供商，在2013年取代所有的同类竞争解决方案。”

关于RFaxis, Inc.

RFaxis, Inc.成立于2008年1月，总部设于加州欧文，专业从事射频半导体的设计和开发。凭借其专利技术，该公司引领专为数十亿美元的Bluetooth、WLAN、802.11n/MIMO、ZigBee、AMR/AMI和无线音频/视频市场设计的下一代无线解决方案。利用纯CMOS，结合其自身的创新方法、专利技术和商业秘密，RFaxis开发出全球首款射频前端集成电路(RFeIC)。欲了解详情，请访问：www.rfaxis.com。