支持大电流的低电容产品可提升高速开关效率
东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，该公司为智能手机和平板电脑等移动设备的大电流充电电路高速开关推出一款低电容双N沟道MOSFET。
随着智能手机、蜂窝手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备不断增添新功能并对电池的要求日益提高，业界不断通过提升充电密度及大幅提高充电电流和频率来缩短充电时间，进而改善用户体验。东芝新款低电容产品“SSM6N58NU”是该公司双N沟道MOSFET系列中的较新成员，适合用作大电流充电电路的高速开关。
应用
用作智能手机、蜂窝手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备的大电流（高达
主要特性
1. 大电流
2. 低导通电阻
3. 低电容
4. 小型封装
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主要规格 |
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封装 |
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产品型号 |
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VDSS |
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VGSS |
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ID(DC) |
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RDS(ON)标准值(mΩ) |
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Ciss |
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Qg |
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VGS= |
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VGS= |
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VGS= |
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SOT-1118 |
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(UDFN6) |
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SSM6N58NU |
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30 |
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±12 |
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4 |
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112 |
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84 |
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67 |
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129 |
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1.8 |
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2.0× |
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*通过下方链接了解该产品的详情。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268302_2470.html
