采用“DPAK+”封装，适用于高速开关
东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用较新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的较新成员。新产品“TK55S10N
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极性 |
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产品型号 |
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漏极到源极电压 |
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漏极电流 |
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系列 |
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通道号 |
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TK55S10N1 |
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100 |
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55 |
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U-MOS VIII-H |
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主要特性 |
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1. |
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低导通电阻(VGS=10V) |
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RDS(ON) = 5.5mΩ（标准值） |
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2. |
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低漏电电流IDSS=10μA（较大值）（VDS=额定电压） |
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3. |
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“DPAK+”封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻。 |
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*通过下方链接了解该产品详情。http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268301_2470.html
