东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET

 

实现较高级别[注1]低导通电阻性能和高速转换

 

东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了较新的第八代低压沟槽结构,实现了较高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。

 

特性

 

  1. 采用了第八代低压沟槽结构,实现了较高级别的[注1]低导通电阻
  2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs),有助于预防自启动现象

 

规格

封装

 

产品型号

 

VPSS
(V)

 

VGSS
(V)

 

RDS(ON) (mΩ)

 

Crss
(标准值)
(pF)

 

Ciss
(标准值)
(pF)

 

Qg
(VGS=4.5V)
(标准值)
(nC)

 

rg
(标准值)
(Ω)

 

 

 

 

VGS=10V

 

VGS=4.5V

 

 

 

 

 

 

 

 

标准值

 

较大值

 

标准值

 

较大值

 

 

 

 

SOP
Advance

 

TPH11003NL

 

30

 

±20

 

9.4

 

11.0

 

12.6

 

16.0

 

18

 

510

 

3.3

 

1.3

 

TPH8R903NL

 

30

 

±20

 

7.6

 

8.9

 

10.2

 

12.7

 

21

 

630

 

4.4

 

1.1

 

TPH6R003NL

 

30

 

±20

 

5.2

 

6.0

 

6.8

 

8.3

 

37

 

1050

 

8.2

 

1.1

TSON
Advance

 

TPN11003NL

 

30

 

±20

 

9.4

 

11.0

 

12.6

 

16.0

 

18

 

510

 

3.3

 

1.3

 

TPN8R903NL

 

30

 

±20

 

7.6

 

8.9

 

10.2

 

12.7

 

21

 

630

 

4.4

 

1.1

 

TPN6R003NL

 

30

 

±20

 

5.2

 

6.0

 

6.8

 

8.3

 

37

 

1050

 

8.2

 

1.1

SOP-8

 

TP89R103NL

 

30

 

±20

 

7.8

 

9.1

 

10.4

 

12.9

 

21

 

630

 

4.4

 

1.1

 

TP86R203NL

 

30

 

±20

 

5.4

 

6.2

 

7.0

 

8.5

 

37

 

1050

 

8.2

 

1.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

有关该产品的更多信息,敬请查看产品页面。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323894_37649.html

 

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