意法半导体(ST)推出新款功率MOSFET,实现更小、更环保的汽车电源

 

中国,20151223日——意法半导体(STMicroelectronics简称ST纽约证券交易所代码STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体较先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V650V,可提供D2PAKTO-220TO-247三种封装。

 

400V500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behavior)和背对背栅源齐纳(gate-source zener)二极管保护功能,是全桥零压开关拓扑的理想选择。

 

意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr(反向恢复时间) / Qrr(反向恢复电荷)比和恢复软度系数表现较好的功率MOSFET,同时也拥有较出色的高电流关断能量(Eoff),有助于提高汽车电源能效。此外,内部快速体二极管的性能表现亦十分出色,有助于降低EMI电磁干扰,让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。MDmeshTM DM2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低,从而使能效较大化、终端产品的尺寸较小化。

 

意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性:

 

·        快速恢复体二极管

·        极低的栅电荷量及输入电容,500V D2PAK产品的栅电荷量及输入电容分别为44nC 1850pF

·        低导通电阻

·        较短的Trr(反向恢复时间):600V TO-24728A时是120ns650V TO-24748A时是135ns

·        栅源齐纳二极管保护

 

欲了解更多产品详情,请浏览:www.st.com/mdmeshdm2

 

关于意法半导体

 

意法半导体STMicroelectronics; ST是全球领先的半导体公司,提供创新先进的产品及解决方案,为人们带来更智能且具有更高能效的电子产品,提升日常生活的便利性。意法半导体的产品无处不在,致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居,以及下一代移动和物联网产品。意法半导体主张智能科技引领智慧生活(life.augmented)的理念。

 

意法半导体2014年净收入74.0亿美元,在全球各地拥有10万客户。详情请浏览意法半导体网站www.st.com

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